宽禁带半导体(SiC/GaN)

Wide bandgap, (WBG), 半导体与传统半导体有很大的区别,因为它们有更大的带隙. 带隙是指半导体中价带顶部和导带底部之间的能量差异. 较大的距离允许较宽的带隙半导体功率器件在较高的电压下工作, temperatures, and frequencies.

宽频带隙半导体材料如氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)是寻找下一代高效功率转换开关的理想选择. 然而,每种材料都比其他材料具有一定的优势. For instance, 碳化硅功率半导体为从650V开始的应用提供了出色的电压阻断,并且在电压越高的情况下提供了更多的好处.

迈向节能世界的下一个关键步骤在于使用这些新的WBG电力电子材料,从而实现更高的电力效率, smaller size, lighter weight, 更低的总成本——或者所有这些加在一起.

金宝搏提供最广泛的产品和技术组合,包括硅, 碳化硅氮化镓基器件. 作为领先的电力供应商,拥有二十多年的传统 碳化硅 (SiC) and gallium nitride (甘)技术的发展, 金宝搏科技迎合了更智能的需求, 更有效地发电, transmission, and consumption. 他们的专家了解需要什么来降低系统的复杂性, 在低、中、大功率系统中降低系统成本和规模.

宽禁带半导体的优点有很多. For example, 更高的效率, 多亏了宽禁带半导体电子学, 提高了功率密度,同时减小了尺寸和重量,从而降低了整体系统成本. 

在电力电子中使用宽带隙半导体器件也有助于实现更高的工作开关频率. 当最终功率密度是目标时,这一点尤其重要. GaN WBG半导体具有较低的总栅极电荷和约为1的低电压阈值.5v,即使在高频下,门驱动功率也仅限于毫瓦.

宽带隙半导体产品解决方案

金宝搏为电力电子产品解决方案提供的高效宽禁带半导体器件是革命性的. bet188金宝搏官网的创新和革命性技术实现了高性能宽带隙半导体材料,包括金宝搏的CoolSiC™. 此外,bet188金宝搏官网的CoolGaN™解决方案在离散和集成电源阶段.

碳化硅(SiC)具有3电子伏特(eV)的宽带隙,与硅相比具有更高的热导率. SiC基mosfet最适合高击穿, 在高频率下工作的高功率应用. 与硅相比,碳化硅功率半导体器件参数RDS(on) 低于温度时增加较少. 这使得设计师可以在更窄的利润率或更高的温度下,在他们的宽带隙电力电子设计中工作, 使额外的性能. Based on proven, 高质量的制造体积, 金宝搏的CoolSiC™解决方案结合了革命性的技术和基准的可靠性,为bet188金宝搏官网的客户今天和明天的成功. >Learn more

GaN具有更高的带隙(3.4电子伏特)和实质上高于SiC的电子迁移率. 与硅(Si)相比, 击穿场是原来的十倍,电子迁移率是原来的两倍. 输出电荷和栅极电荷都比硅低十倍, 而反向回收的费用几乎为零, 高频操作的关键是什么. 氮化镓宽禁带半导体功率器件是现代谐振拓扑的首选技术,并使新的方法成为可能, 包括新的拓扑和电流调制.

金宝搏的GaN解决方案基于市场上最强大和性能最好的概念——增强模式(e-mode)概念, 提供快速开启和关闭速度. CoolGaN™氮化镓产品专注于高性能和鲁棒性,同时为许多宽带隙半导体应用的各种系统增加重要价值,例如 servertelecom无线充电adapter and charger, and audio. CoolGaN™开关易于使用和设计,具有广泛的单通道和双通道组合, 孤立和non-isolated EiceDRIVER™门驱动ic from Infineon. Learn more

EiceDRIVER™SiC MOSFET栅极驱动ic非常适合驱动SiC MOSFET, 特别是bet188金宝搏官网的超快速切换CoolSiC™SiC mosfet. 这些栅极驱动器包含了SiC驱动器最重要的关键特性和参数,如紧密传播延迟匹配, 准确输入过滤器, 广泛的输出端供应范围, 负栅电压能力, 活跃的米勒夹, DESAT保护, 以及扩展的CMTI能力. >Learn more 

金宝搏图像宽带隙半导体硅硅gan

宽禁带半导体器件为各种应用带来了显著的功率效率. 金宝搏创新的宽带隙半导体产品组合正在解决消费者应用的充电器和适配器中使用的最先进的电子产品, EV charging, telecom, SMPS, solar, 以及工业应用电池的形成, 以及车载充电和用于汽车应用的高压至低压DC-DC转换器.

以其优质高效的产品, 金宝搏是全球领先的开发和将强大和创新的半导体技术推向市场的公司. bet188金宝搏官网极其紧凑和高效的设计可用于最广泛的硅(Si)产品和技术组合, 碳化硅(SiC), 以及基于氮化镓(GaN)的器件,为客户的独特应用需求提供最佳解决方案.

GaN、SiC和Si半导体之间有许多不同之处. First, GaN半导体目前的目标电压范围为80V至650V,并在最高的开关频率下提供中等功率. 在最大功率密度下具有非常高的效率, GaN和SiC半导体都比硅基半导体具有更低的开关损耗.

当涉及到氮化镓和. SiC电力电子半导体, SiC功率半导体提供优越的栅氧化可靠性, 极好的易用性, 与氮化镓相比,它们非常健壮,采用了垂直晶体管的概念, 哪一个是横向晶体管.

GaN和SiC为应用解决方案空间带来了不同的优势. 然而,它们的好处取决于它们的应用. For example, 碳化硅在高温和高压应用中具有优越性, 如大功率串逆变器. 耐高温能力, 较低的温度系数和较高的阻塞电压性能最能满足应用要求.

在极限功率密度方面,氮化镓更胜一筹. 这在建筑体量非常有限的应用中尤其如此, 例如数据中心的开关电源供应商,因为功率水平在给定的空间中增加. In this case, 高效率和高开关频率相结合,将应用推向其他技术无法达到的下一个水平.

培训和网络研讨会

用于宽禁带半导体的低电感封装的好处

金宝搏培训WBG半导体低电感封装

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金宝搏网络研讨会Si, SiC或GaN?

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Si | SiC | GaN定位在ACDC中的应用

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