氮化镓(GaN)

CoolGaN™-新的电源范例

当今对高性能和低成本电源转换产品的需求是由消费者对更长的电池寿命的期望所驱动的, 更快的手机充电, 电动汽车的发展, 或电动工具. 消费者希望更快的数据通信以及强大的人工智能(AI)功能, 超大规模数据中心的庞大网络以更低的成本提供服务, 电信服务器农场, 以及即将到来的融入bet188 金宝搏官网日常生活环境的5G通信塔.

是实现高绩效的核心, 同时也降低了这些bet188的前期和运营成本, 先进的电力电子设备是否能够通过多个阶段处理电力电压，最终以高效和低成本的方式为bet188 金宝搏官网的设备供电. 多年来, 这一进步是由不断的创新导致的高、低压硅功率晶体管家族，从未失败的进一步改进bet188 金宝搏官网一代又一代的惊喜.

然而, 而功率半导体历来使用硅衬底, 硅半导体在面对高电压时受到限制. 因为这个原因, 其他材料如氮化镓(GaN)正越来越多地用于取代硅. 氮化镓技术公司已经开发出创新的氮化镓(GaN)技术，可以提供更高的开关频率，同时将损耗保持在非常低的水平. 半导体制造商在氮化镓技术上的这些发展提供了更长的电池寿命和手机充电更快, 电动车(电动车), 电动工具，以及更快的数据通信能力.

金宝搏创新的GaN电源技术包括 600V CoolGaN™GIT HEMT 技术. HEMT, 哪个代表高电子迁移率晶体管, 是通过将两个结构不同的衬底结合在一起形成异质结晶体管，以促进更高的电子迁移率，并允许GaN HEMT操作期间稳定的开关.

GaN科技产品解决方案

氮化镓(GaN)是一种宽禁带半导体材料碳化硅(SiC). 是否有可能生长大直径单晶氮化镓来制作加工用晶圆, 垂直晶体管的制造方法与今天的碳化硅mosfet类似. 然而，氮化镓的特性使得生长GaN基板非常困难. 而不是, 氮化镓芯片可以用现成的材料制成, 低成本硅片作为衬底, 以及外延生长氮化镓，使其可以制作成横向晶体管，即高电子迁移率晶体管(HEMTs)。.

自氮化镓HEMT晶体管提高功率密度，并能进行高速开关, 他们是理想的半导体器件，需要快速启动和关闭速度，并使更高的效率和可靠性.

氮化镓半导体被广泛应用于电源和转换. 例如, 金宝搏的GaN技术解决方案提供基准效率和最大的功率密度电信基础设施发展. 另外, 使用金宝搏的GaN晶体管进行高效的功率转换，降低了运营费用，因为氮化镓电源的足迹减少了，同时提供了最高的解决方案的可靠性.

就像所有金宝搏的功率晶体管一样, 氮化镓功率晶体管CoolGaN™系列由广泛的单通道和双通道隔离和非隔离支持 EiceDRIVER™ 门驱动器集成电路.

金宝搏的氮化镓EiceDRIVER™ ICs, 在高压CoolGaN™氮化镓晶体管设计中实现最大性能, 多亏了它们的易用性, 缩短上市时间. 这个家庭的门驱动器集成电路推荐用于高功率和硬开关应用(e.g. 图腾柱PFC). 标准栅驱动ic (2 edf7275k, 2 edf7275f, 1 edb7275f, 1 edn7550b)也可以与CoolGaN™氮化镓晶体管一起使用，作为一种紧凑和经济有效的软开关应用解决方案(e.g. LLC).

通过结合业界最可靠的GaN和驱动技术，金宝搏的 CoolGaN™集成电源级(IPS) 600V是市场上所有GaN hemt最可靠和高性能的解决方案之一. 此外，金宝搏还提供全方位的 600V CoolGaN™栅极驱动解决方案功率半导体.

氮化镓技术应用

有许多技术实现了氮化镓的应用，例如电信/数据, smp服务器, 无线充电. 氮化镓电子器件极其高效和紧凑的设计为高质量树立了新的标准, 能源效率, 以及易用性.

通过在硅衬底上制造用于开关应用的GaN功率晶体管, 金宝搏为GaN-on-Si电源技术设备和应用提供高度可靠和高效的解决方案.

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金宝搏的CoolGaN™解决方案是您所需要的，以提升您的设备到下一个水平. 优秀的可靠性, CoolGaN™的高性能和健壮性为跨许多bet188(如服务器)的各种系统增加了重要的价值, 超大型数据中心, 电信, 无线充电, 适配器和充电器, smp和音频. 使CoolGaN™开关更易于使用和设计, bet188 金宝搏官网提供专用的氮化镓EiceDRIVER™ic.

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