HiRel辐射硬功率mos晶体管

Overview

辐射硬功率MOS半导体和封装应用于整个航空航天工业

当涉及到空间和航天应用时, 在电子设备中使用辐射硬化的微芯片是防止辐射损害的必要手段.

金宝搏HIRel提供广泛的辐射硬化半导体. 基于独特的CoolMOS™超结技术, 金宝搏的弧度硬MOSFET功率晶体管是辐射硬度和电气性能的全球基准. TID硬度指定为100krad(根据要求300 krad)和单一事件效应(SEE)测试LET62与Xe和LET95与Pb离子.

比R极低DS(ON), 与SEE相关的舒适安全操作区域(SOA), 金宝搏为各种空间应用提供一流的辐射硬功率mos晶体管.

金宝搏弧度硬MOSFET产品范围涵盖了从60V到650V的4个不同封装的电压等级. 所有辐射硬化mosfet是合格的裸模，以及.

由于rad硬MOSFET是欧洲产品，它们在出口法规方面是不分类的.

金宝搏还提供广泛的dla合格的rad硬mosfet通过IR HiRel, 金宝搏科技公司. See the IR HiRel rad硬MOSFET 投资组合在这里.

金宝搏的辐射硬化mosfet组合为需要辐射硬化半导体的空间和航空航天应用提供最好的PowerMOS晶体管.  

rad硬mosfet的高可靠性产品范围可用于封装和半导体，并提供不同的质量水平:“P”用于工程模块(EM)的专业水平，“ES”用于ESA卫星飞行模块(FM)的空间水平.

具有250V和150V器件的辐射硬度和电气性能的全球基准, 金宝搏的抗辐射微芯片可为空间和航空航天应用提供耐久性和高可靠性.

金宝搏的辐射硬化mosfet设计用于高可靠性应用，并符合空间和航空航天行业的资格. 另外, 金宝搏的弧度硬mosfet可采用密封封装，可用于 直流/直流转换器, 电机控制器，开关模式电源，或点负载转换器.

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