氮化镓晶体管-金宝搏科技-bet188金宝搏官网

Overview

GaN HEMT -氮化镓晶体管子类

CoolGaN™-最终的效率和可靠性，易于使用.

氮化镓(GaN)晶体管比硅晶体管具有基本的优势. In particular, 更高的临界电场使得功率半导体器件与硅mosfet相比具有出色的特定动态导通电阻和更小的电容非常有吸引力, 是什么使得GaN HEMTs非常适合高速开关应用. 氮化镓晶体管可以减少死区时间，从而产生更高的效率，并实现被动冷却. 在高开关频率下工作可以使无源元件的体积缩小，从而提高GaN HEMTs的可靠性和整体功率密度.

GaN功率晶体管最重要的特性是其反向恢复性能. 由于金宝搏的CoolGaN™晶体管没有少数载流子，没有体二极管，他们不表现出反向恢复. Therefore, 图腾柱PFC等硬开关拓扑可以实现更高的效率, 例如数据中心和服务器电源, 以节约能源，降低运营成本.

金宝搏的CoolGaN™是一种高效GaN(氮化镓)晶体管技术，可在高达600V的电压范围内进行功率转换. 在半导体市场有丰富的经验, 金宝搏的GaN技术通过端到端的大批量生产，使e-mode概念臻于成熟. 领先的质量确保了最高的标准，并提供了市场上所有GaN hemt中最可靠和性能最好的解决方案.

使用CoolGaN™的开关模式电源电路可以受益于提高的能源效率和提高的功率密度, 用最先进的硅器件是不可能的. 在高频操作, above 200-250kHz, 转换速度是决定能量转移方式的关键. 金宝搏CoolGaN™的超快切换速度使得死区时间非常短. 预测寿命超过15年，故障率低于1 FIT, 客户可以信赖它的可靠性和质量.

GaN HEMT产品解决方案

金宝搏的高性能CoolGaN™e-mode hemt有顶部和底部冷却的SMD封装. 在各自的应用中，允许最高的效率和功率密度以及最佳的热行为. 这些e-mode GaN HEMT晶体管的目标 consumer and industrial 应用,如 server, datacom, telecom, adapter/charger, wireless charging, and audio 拥有市场上最强劲和表现最好的概念.

音频放大器的性能与金宝搏的CoolGaN™氮化镓技术最大化，并允许接近理论理想的性能 D类音频放大器因为GaN HEMT开关的独特特性. 它们理想的开关波形是最大化音频性能和最小化D类音频放大器功率损失的先决条件.

氮化镓晶体管的应用

金宝搏的氮化镓CoolGaN™系列为多种应用系统增加了重要的价值. 这些电子模式hemt针对的是4G/5G、数据通信、 telecom，以及市场上最强大、性能最好的WIFI概念.

在高功率应用中使用金宝搏的GaN HEMT器件 server power supply and 电信bet188，导致节省成本和更多的电力每个机架. 它还允许更容易的控制方案，因为它的硬开关能力，同时提供效率的好处相比下一个最好的硅替代品. 随着对更快数据通信的需求的增加, 用于5G应用的GaN HEMT将使更高的效率和极快的切换速度.

GaN HEMT晶体管也用于一系列低功耗应用，如手机充电器适配器 and lighting (LED drivers).

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