工业电机驱动和控制-金宝搏科技-bet188金宝搏官网

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低，中，高功率电机驱动的解决方案

bet188 金宝搏官网为您提供广泛的组合高效半导体电机优化. 您可以依靠bet188 金宝搏官网的智能电源模块(IPMs)和离散的智能设计在低功率范围. 对于中等功率的驱动器，bet188 金宝搏官网的 EasyPIM ™, EasyPACK ™, and EconoPIM ™ 模块是完美的匹配. 接下来是高功率频谱， EconoDUAL ™ and PrimePACK ™ 是选择的解决方案吗. 结合创新.XT互连技术, PrimePACK ™模块可以帮助设计师克服评级过高的困境，因为它们通过提高热和功率循环能力来延长寿命.

bet188 金宝搏官网投资组合的亮点包括bet188 金宝搏官网的 TRENCHSTOP™IGBT7模块，专门为驱动器bet188的需要而定制. 理想的通用驱动器(GPD)应用, TRENCHSTOP™IGBT7器件提高功率密度, 可控制性, 以及各种经过验证的包中的过载功能，以节省成本和时间. 对于高速驱动器和逆变器集成，bet188 金宝搏官网的 CoolSiC™场效电晶体是一个有吸引力的解决方案，因为他们减少开关和传导损耗, 特别是在部分负载条件下.

补充bet188 金宝搏官网的动力半导体, bet188 金宝搏官网还提供所有硅和碳化硅(SiC)器件的栅驱动ic. Our broad EiceDRIVER ™组合从基本功能扩展到增强功能. 用于电池驱动的应用，如汽车无刷直流电机, 客户可以依赖bet188 金宝搏官网广泛的硅mosfet，包括bet188 金宝搏官网的 OptiMOS™家庭. 为了完善这一产品，并使您的设计为行业4做好准备.0、支持不断增长的互联互通需求 IMOTION which measures ™, XMC ™, and AURIX ™ 微控制器,辅以 OPTIGA™信托解决方案s 为了最高的安全标准. 这些设备可以与bet188 金宝搏官网的传感器结合 XENSIV ™ 家庭带来更多的感官智能到您的设计，并使创新的功能，如预测性维护.

设计驱动器逆变器的关键问题

有五个关键问题你必须经常问. 通过发现下面的交互图了解更多信息.

驱动逆变器设计的五个关键问题

驱动逆变器设计的五个关键问题

Application

还要检查您的客户是否有任何特殊要求, such as: vibration resistance; Long life; high temperatures; very high speed; heatsink type (water or air-cooled); overload conditions as shown in the figures.

你的具体申请是什么?
驱动逆变器设计的五个关键问题

bet188控制.

在驱动应用中，由于电机绝缘系统的限制，开关速度受到限制. Therefore, 开关斜率dv/dt限制在2 ~ 10kv /微秒(kV/µs)范围内，典型目标为5kv /µs.

你的具体申请是什么?
驱动逆变器设计的五个关键问题

Current

而电机功率等级是标准化的, 不同制造商的输出电流略有不同. 有很多因素会产生影响, such as: power factor; motor efficiency; modulation scheme

输出电流的均方根是多少?
驱动逆变器设计的五个关键问题

Voltage

选择合适的电压等级取决于电网输入电压. 请注意，直流链路的最大电压可以有10%的误差. 由于宇宙射线的可靠性，该值不应超过IGBT屏蔽电压的三分之二.

交流/直流电压是多少?
驱动逆变器设计的五个关键问题

Topology

bet188需要刹车开关吗? 让bet188 金宝搏官网仔细看看整流器:它是一个单一的，主动前端或三相设计? 如果是三相整流器，如何控制?

什么是拓扑结构?
驱动逆变器设计的五个关键问题

拓扑控制.

对于22kw以下的驱动器，客户通常使用PIM模块. 在30 - 90kw范围内，它们使用六组模块或半桥接. 在90kw以上，他们只使用半桥模块. 如果设计伺服驱动器，客户通常使用六组或PIM模块

什么是拓扑结构?
驱动逆变器设计的五个关键问题

Frequency

与其他bet188相比，工业驱动bet188通常以适当的开关频率运行. 通常，4千赫兹是一个典型的值. 如图所示，增加开关频率可以减少噪音.

开关频率是多少?

IGBT7技术在驱动器应用中的特点和优势

电机驱动系统的独特和特殊要求要求IGBT设计的新方法. 用正确的IGBT技术, 可以创建定位更好的模块来满足这些需求. 金宝搏在其最新一代的IGBT技术中采用了这种方法 IGBT7.

在芯片层面, IGBT7使用微模式沟槽(MPT), 该结构对漂移区正向电压的降低和电导率的提高有重要作用. 适用于开关频率适中的场合, 比如电机驱动, IGBT7显著减少了前几代人的损失. 与上一代(IGBT4)相比，IGBT7提供的另一个改进是自由旋转二极管，它也为驱动应用进行了优化. 发射极控制二极管的正向压降, EC7, 现在比EC4二极管的正向压降低100 mV, 具有改善的逆向恢复软性. Learn more

工业驱动器用碳化硅解决方案-伺服驱动器用CoolSiC™mosfet

随着各行各业的自动化程度越来越高, 伺服电机的需求也相应增加. 它们将精确的运动控制与高扭矩水平相结合的能力使它们非常适合自动化和机器人技术.

凭借其专业的制造技术和长期的经验，金宝搏已开发出一套 SiC 沟槽技术，提供比IGBT更高的性能，但具有同等的鲁棒性，e.g.短路时间为2个(或2个)µµ，甚至3个(或3个)µµ. Infineon's CoolSiC™场效电晶体还解决了SiC器件固有的潜在问题，如不需要的电容开启. Furthermore, SiC mosfet可用于行业标准TO247-3封装, 现在有了更好的转换性能, 在TO247- 4包中. 此外，CoolSiC mosfet也可在SMD封装TO267-7中使用. 除了这些to封装，SiC MOSFET也可在Easy 1B, Easy 2B，和62mm封装. Learn more

Products

突出产品

1200v TRENCHSTOP™IGBT7 -更高的功率密度和优化的开关

基于最新的微纹沟槽技术，1200v TRENCHSTOP™IGBT7 和EC7二极管提供强大的减少损失和高水平的可控性. 该装置为工业驱动应用而优化. 因此，它可以降低静态损耗，提高功率密度，以及更软的开关.

了解更多关于TRENCHSTOP™IGBT7

EconoDUAL ™3(中功率半桥)

EconoDUAL ™3 现在可以获得最新的模块 TRENCHSTOP™IGBT7 一代，将1200v组合从600a扩展到900a. 900a 1200v EconoDUAL ™具有改进的外壳，用于处理更高的电流, 和相同足迹内的温度. 结合TRENCHSTOP™IGBT7技术, 这表明损失显著减少, 高水平的可控性和开关柔软性, 以及高的短路能力. 过载时最高工作温度175℃, 实现了高效率和高功率密度, 使系统简化, 和降低成本.

了解更多关于EconoDUAL ™3的信息

EiceDRIVER ™X3紧凑型和增强系列

The EiceDRIVER ™ 紧凑型隔离门驱动器系列现在包括X3 compact 1ED31xx系列, 带有米勒钳或单独的输出功能. 主动米勒钳功能是SiC MOSFET 0v关闭的强烈建议. 最大输出电流14a, 200kv /µs CMTI, 7ns Max. 传播延迟匹配，40v最大输出电源电压. 集成过滤器减少了对外部过滤器的需要.

The EiceDRIVER ™X3 增强的隔离门驱动器组合现在包括X3 Analog 1ED34xx家族和X3 Digital 1ED38xx家族与DESAT, 米勒夹, Soft-off, 和I2C配置. 这种高度灵活的门驱动器系列提供了广泛的可配置功能和监控选项. 这使得创新用例成为可能，比如预测性维护.

了解关于EiceDRIVER ™门驱动程序的更多信息

NOR Flash

NOR Flash 快速随机读取性能是嵌入式系统中代码存储的理想内存吗.
该性能还支持XIP(就地执行)功能，该功能允许主机控制器直接从NOR闪存执行代码，而不需要首先将代码复制到RAM中. 更高级别的串行NOR内存性能使XIP能够在许多bet188的各种设计上使用.

了解更多关于NOR闪存的知识

持续的内存

非易失性RAM产品，例如 F-RAM and nvSRAM 将非易失性数据存储与高性能RAM相结合. 这些符合rohs标准的记忆提供了很高的耐力, 数据在85°C下保存10年以上，无需外部电池备份，瞬间不挥发, 提高系统可靠性，降低成本.

MoBL ® 异步存储器 片上ECC适用于要求最高标准的可靠性和性能的工业系统. 在电池支持的系统中，这些sram以最佳的待机电流6来延长电池寿命.为一个8Mbit SRAM提供5个µA(85°C). Coupled with soft-error rates of < 0.1 FIT/Mb，这些超低功耗的sram被用于各种应用.

了解有关持久RAM内存的更多信息