优化的CoolSiC™mosfet 650 V在D²PAK应用中的最低损失和运行中的最高可靠性

2022年3月21日 | 市场消息

慕尼黑, 德国——3月21日, 2022年——数字化等大趋势, 城市化, 电动出行会增加电力消耗. 与此同时,能源效率变得越来越重要. 金宝搏科技股份有限公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通过提供一个新的系列CoolSiC™650 V碳化硅(SiC) mosfet来响应这些大趋势和由此产生的需求,提供可靠的, 易于使用的, 且性价比最高性能. 该设备建立在金宝搏最先进的SiC沟槽技术和紧凑型D 27针包装,带 .XT互连技术. 他们的目标是高功率应用,包括 服务器, 电信, 工业smp、快速 电动汽车充电, 马达驱动器, 太阳能系统, 能量储存, 电池的形成.

新产品提供了更好的开关行为在更高的电流和降低80%的反向恢复电荷(Q rr)和漏源极电荷(Q oss)比最好的硅参考. 降低的开关损耗允许在较小的系统尺寸中进行高频操作, 提高效率和功率密度. 沟槽技术是提高栅氧化层可靠性的基础. 再加上改进的雪崩和短路鲁棒性,即使在恶劣的环境中也能确保最高的系统可靠性. SiC mosfet适用于具有重复硬换向的拓扑,以及高温和苛刻的操作. 由于非常低的通电阻(R DS(上))随温度的变化,表现出良好的热行为.

具有从栅极到电源的宽电压(V GS)范围从-5 V到23 V,并支持0 V关断V GS 和栅源阈值电压(V GS (th))大于4 V,新系列还与标准MOSFET栅驱动ic一起工作. 另外, 新产品支持双向拓扑和完全dv/dt可控性, 降低系统成本和复杂性, 以及易于采用和集成. 的 .XT互连技术显著提高了封装的热性能. 与标准互连相比,高达30%的额外损失可以消散. 拥有十款新产品,金宝搏D 2PAK 7针SiC mosfet组合是市场上颗粒最细的.

可用性

新的CoolSiC mosfet在D 2PAK 7-pin (TO-263-7)现在可以订购. 更多信息可访问 www.金宝搏.com/coolsic-mosfet-discretes.

更多关于金宝搏在能源效率方面贡献的信息: www.金宝搏.com/green-energy

信息数量

infpss202203 - 065

新闻图片

  • CoolSiC™mosfet 650 V在D²PAK与 .XT互连技术提供了更好的开关行为,在更高的电流和降低80%的反向恢复电荷(Qrr)和漏源极电荷(Qoss)比最好的硅参考. 降低的开关损耗允许在较小的系统尺寸中进行高频操作, 提高效率和功率密度. 沟槽技术是提高栅氧化层可靠性的基础. 再加上改进的雪崩和短路鲁棒性,即使在恶劣的环境中也能确保最高的系统可靠性.
    CoolSiC™mosfet 650 V在D²PAK与 .XT互连技术提供了更好的开关行为,在更高的电流和降低80%的反向恢复电荷(Qrr)和漏源极电荷(Qoss)比最好的硅参考. 降低的开关损耗允许在较小的系统尺寸中进行高频操作, 提高效率和功率密度. 沟槽技术是提高栅氧化层可靠性的基础. 再加上改进的雪崩和短路鲁棒性,即使在恶劣的环境中也能确保最高的系统可靠性.
    CoolSiC_650_V_TO263-7

    JPG | 931 kb | 2126 x 2425 px